电子工艺技术５２ＥｅｃｔｒｏｎｃｓＰｒｏｃｅｓｓＴｅｃｈｎｏｏｇｙｌｉｌ２０２０年月１第４卷第期１１ｄｏｉ：１０．１４１７６／ｊ．ｉｓｓｎ．ｌ００１３４７４２０２００．．１．０１４电镀锡添加剂的研究石新红（，张军，周华梅，上海美维科技有限公司上海２０１６１３）摘要：对硫酸亚锡体系酸性纯锡电镀添加剂进行了研究，，采用ｈｕ槽ｌｌ：、ＳＥＭ、人工加速腐蚀等方法测定，镀液的性能及镀层的质量高的ＴＰ值，得到该体系适宜的工艺参数ｍ｜。测试结果显示ＴＰ１１０电镀锡的结晶致密。具有比较，当锡电镀厚度为５ｘ，时，，Ｘｆ通盲孔有比较好的覆盖能力和保护能力。该工艺具有污染小成分简单易于控制关键词溶液稳定性好等优点电镀锡：；有望应用于线路板酸性电镀锡工艺；：添加剂；ＳＥＭ半光亮Ａ中图分类号ＴＮ６文献标识码：文章编号：１００１－３４７４（２０２０）０１－００５２－０５ＳｔｕｄｙｏｎＡｄｄｉｔｉｖｅｓｆｏｒＴｎＰｉｌａｔｎｉｇＳＨＩＸｉｎｈｏｎｇ，ＺＨＡＮＧＪｕｎ，ＺＨＯＵＨｕａｍｅｉ（ＳｈａｎｇｈａｉＭｅａｄｖｉｌｌｅＳｃｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｏｇｏｙＣｉｌ．，Ｌｔｄ．，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０１６１３，Ｃｈｎａｉ）Ａｂｓｔｒａｃｔｃｈｅ：Ａｎｅｗｔｎｐａｔｎｇａｄｄｉｌｉｉｔｉｖｅｓｓｔｕｄｉｉｅｄ．ＩｔｉｓｕｓｅｄｆｏｒｃｏｐｐｅｒｐｒｏｔｅｃｔｏｎｄｕｉｒｉｎｇＳＥＳｐｒｏｃｅｓｓＴｈｅ．ｍｇｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｙａｎｄｔｈｅｑｕａｌｉｔｙｏｆｔｈｅｐａｔｅｄａｙｅｌｌｒｉｓｔｅｓｔｅｄｂｙｍｅａｎｓｏｆｈｕｌｌｃｅｌｌ，ＳＥＭａｎｄａｃｃｅ．ｌｅｒａｔｅｄａｇｔｈｉｎ．ＴｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅａｎｄｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｒｎｆｙａｅｖｅｓｔｇａｔｅｄｏｉｉｒｂｏｔｈｂｌｉｎｄｖａａｎｄｔｈｉｒｏｕｇｈｈｏｅｌＴｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗａｔｔｈｓｓｙｓｔｅｍｈａｓｔｈｅａｄｖａｎｔａｇｅｓｏｆｈｇｈＴＰｖａｉｉｌｕｅａｎｄｃｏｍｐａｃｔｔｅｘｔｕｒｅｉ．Ｉｔｃａｎｐｒｏｔｅｃｔｔｈｅｂｌｉｎｄｖａａｎｄｉｔｈｒｏｕｇｈｈｏｅｗｅｌｌｌｗｈｉｌｅｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｔｉｎｔｈｉｃｋｎｅｓｓｓ５ｉ＼＼ｍ．Ａｉｌｓｏ，ｔｃａｎｇｈｒｅａｂｒｅａｔｙｓａｖｅｔｈｅｃｏｓｔｏｆｔｎａｎｏｄｅｗｌｉｉｔｈｔｈｉｎｎｅｒｔｉｎａｌｙｅｒ．Ａｔｔｈｅｓａｍｅｔｉｍｅ，ｔｈｉｓｃｈｅｍｉｃａａｓｏｈａｓｈｌｌｇｌｉｉｌｉｔｙａｎｄｅａｃｈｃｏｍｐｏｎｅｎｔｏｆｉｔｈｅｃｈｅｍｉｃａｌｃａｎｂｅｍｅａｓｕｒｅｄｅａｓｌｉｙ．Ｓｏｔｃａｎｂｅｃｏｎｔｒｉｏｌｌｅｄａｃｃｕｒａｔｅｌｙ．Ｉｔｉｓｅｘｐｅｃｔｅｄｔｏｂｅｕｓｅｄｎｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄｉｎｄｕｓｔｒｙｗｉｔｈｌｉｔｔｌｅｐｏｎｌｌｕｔｏｎａｎｄｉｇｏｏｄｓｏｕｔｏｎｓｔａｂｌｉｉｌｉｔｙ．ＫｅｙＷｏｒｄｓ：ｔｉｐｌａｔｎｇ；ｉａｄｄｉｔｉｖｅ１；ＳＥＭ－；ｓｅｍ－ｉｂｒｇｈｔｉＤｏｃｕｍｅｎｔＣｏｄｅ：ＡＡｒｔｉｃｅＩｌＤ：００１３４７４（２０２０）０１－００５２０５－印刷电路板（ＰＣＢ）是电子产品的关键性互连件”，宽，操作温度低等优点，，应用最为广泛［４］。由于锡电，被称为“电子系统产品之母、［１］。为了避免ＰＣＢ上图，沉积过电位很小阴极还原交换电流很大且电流效率低电极反形在蚀刻过程中出现缺口断线而导致报废通常［应速度过快，在酸性溶液中只能得到粗糙，、树枝状先在图形上镀锡铅禁止用铅盐目。，完成图形制作后再将其去除，２］。或针状的沉积层。在光亮酸性镀锡由于氟和铅都会污染环境。美、日、欧等国已明令液中加入含羰基和乙烯基的添加剂可以获得光亮细致的锡镀层。前，国内大部分厂家均采用电镀纯锡３本研究添加ＯＰ等光亮镀锡添加剂，，对定来取代锡铅、电镀纯锡根据镀液主成分不同有硫酸［］其贯孔性能以及可靠性进行研究通过优选工作条，氟硼酸和甲基磺酸３种体系，，其中，，硫酸盐体件，获得了结晶细致。、光滑平整的镀层具有一系的工艺具有析氢少作者简介石新红。沉积速度快女硕士电流密度范围工程师的实用性：（１９８２），－，毕业于上海大学，，高级业务主管，主要从事印制娜板制造工艺板药水的研究开发工作第４卷第期１１石新红，等：电镀锡添加剂的研究５３１性能测试结果目前采用硫酸亚锡体系的电镀参数基本为２１．５Ａ／ａｎ，电镀时间为９￣１０ｍｉｎ，锡层的厚度平均在７￣８ｘｍ目（，这也是前印制线路板行业内比较普遍的电镀条件。在测试中发现，由于ＴＰ１１０体系的通孔ＴＰ值较高，且孔内的致密性较好，因此，考虑可以适当降低镀层的厚度，将锡层厚度由７ｘ（ｍ降低为５ｘ｜ｍ，在此基础上对可靠性以及良率进行了测试。结果显示，５ｐｍ锡厚对通盲孔以及孤立线和盘有很好的保护性能。其小批量测试板的良率与生产线现有药水的７ｘ｜ｍ锡厚的结果相当。在完成１Ｌ小槽以及２８０Ｌ槽测试的基础上，继续研究ＴＰ１１０药水在１４００Ｌ中试线的性能，并与现有生产线药水进行对比，对批量板的良率和可靠性进一步测试，综合评价其保护性能和可靠性。１．１ＴＰ１１０药液的参数范围根据实验室１Ｌ小槽和２８０Ｕｆ＊的测试结果，得到化学药液的初步使用范围，在１４００Ｌ中试线测试过程中，对药液各组分进行监控并完善。结果显示，表１中ＴＰ１１０药液控制完全符合生产使用要求。在此范围内，药液的性能及镀层的质量均满足生产要求，电镀锡结晶致密性高，且具有高的通孔贯孔能力（ＴｈｒｏｗｉｎｇＰｗｏｅｒ，ＴＰ）〇从表１中不难发现，该体系具有较宽的操作范围，并且添加剂１１０１和１１０２可以分别采用循环伏安剥离法（ＣＶＳ）和滴定法进行精确测试，为槽液的维护提供了有力的支撑。表１＃？疏围参数参数范围推荐值１ＳｎＳ０？－４浓度ｐ４５／（ｇＬ）３５４０１１９０－１１０１００药液２５０４体积分数？＞／１０１（ｘ％）添加剂组成１１０１体积分数ｐ／（１Ｘ１０％）４０－６０５０添加剂０１１２体积分数贫／（Ｘ１０１％）８￣２０１４４Ｃ》体积分数？／（ｘ１ＣＴ％）４０－８０６０温度０／ｔ１９－２４２２电流密度Ｊ２／Ａ？ｃｒｒｒ０．８－１．５１．２１．２电镀表观及其结晶形貌表２给出在不同电流密度下表面结晶的扫描电子显微（ＳＥＭ）图，电流密度分别为０．５Ａ２／ｏｎ、ｌ．ＯＡ２／ｏｎ、２１．５Ａ／ｃｍ和２２．０Ａ／ｃｍ，其余参数均为中值。镀层表面均匀一致，无烧焦，无色差。表面形貌结果显示在不同电流密度下，镀层均非常致密，无针孔以及漏镀等现象。随着电流密度的增加，其结晶颗粒有所减小。电结晶过程可分为５两个阶段６［］：１）离子从电解液中输送到电极表面并放电２；）原子进入晶格和晶体的生长。电结晶过程的复杂性既与晶体表面的不均匀性有关，又与形成新相有关。电结晶过程中，晶核形成与晶体长大是平行的，只有晶核形成速度大于晶体长大速度，结晶才有可能细化。决定晶核形成速度的主要因素是过电位，凡是影响过电位的因素都对电结晶质量有影响。因此，当随着电流密度的增加，其成核速度大于生长速度，从而高电流密度的电镀层晶粒更加细致。表２不同电流密度所得锡面的ＳＥＮ？１．３盲孔测试结果盲孔电镀体系中，由于电镀液只能单侧进行交换，交换效率较差，因而对溶液的组分的润湿性能提出７了很高的要求［］。图１是ＴＰ１１０和某知名公司添加剂Ａ的对比２，ＴＰ１１０（电流密度为１．２Ａ／ｃｍ，其他各种参数均采用中值，盲孔孔径为１０１．６ｐｍ，介厚为６０ｐｍ）所制备的盲孔具有和Ａ添加剂几乎一致的孔形结构，盲孔ＴＰ值大于９０％，完全满足盲孔ＴＰ要求。由此表明ＴＰ１１０体系中的添加剂具有很好的扩散性，从而获得优良盲孔性能。（ａＴＰ１１０）（ｂ）Ａ图１盲孔切片１．４通孔测试结果通孔的贯孔能力是通孔的关键性能指标。影响通孔贯孔能力的因素包括交换、硫酸的浓度、添加剂体系、电流方式等。就添加剂而言，抑制剂在表面的抑制能力是影响ＴＰ值的关键。通常，采用六点法表征通孔贯孔能力，其取样如图２所示ＴＰ，值为ｘ（ｃ＋ｄ）２／（ａ＋６＋ｅ＋ｆｘ）１〇〇％。ａｂｒｉｉｃｄ图２通孔示意图电子工艺技术５４ＥｅｃｔｒｏｎｃｓＰｒｏｃｅｓｓＴｅｃｈｎｏｏｇｙｌｉｌ２０２０年月１镀锡电流密度为采用中值．１．１Ａ／ｃｍ２，其他各种参数均．１．６ｍｍ，孔径为０，．２０ｍｍ时，其ＴＰ值平均为８６％Ｉ，。板厚为．１．６ｍｍ，孔径分别为０。２０ｍｍ、最小值为７４％要；完全满足普通ＨＤ板的贯孔能力需，０２５ｍｍ、０３０ｍｍ，如图３所本表３给出不同厚径。在孔较大时１其贯孔能力有明显提升１〇〇，当孔径．比，采用六点法所得到的通孔贯孔能力板厚ｍｍ在板厚为ｓ／１＾０３〇１１１１１｜？＾，其贯孔＾４可达ｅ／ｎｍ９９％；在＾￥为２〇）１１１１１１，表３通孔ＴＰ比较ｆ／孔径Ｄ／ｍｍ０２ｍ．ｍｂ／ｕｍｃ／．ｍｍｄ／ｕｍ９４２，／ｕｍ８ＴＰ８８ＴＰａｖｅ２３２１９４２１８２１７１．１８９１％％％８６０１５９９６０６３．２５７８３．．４２９３７．７４９６９３８５９％１１１２０８．０８７．９９０９５５．９５３．１２３２，１１８４１１．１１９４７９６６．１０３２．％％％％％％１ＴＰ１１０（１４００Ｌ）１．６０２５．１０６６７９４．７４９７．７３９８１３８０５９０％１０５３．１１．５９９６６８４５．６５９１１９１１１４８９５１１１．８２１２２９．１２．５９１１．９５０４０８９１０８０．３０１１１０８９１２．１９１２３３．１１１２５６．１０６０５０６％９９１２３１．１０７６．１１．３６８９５１０９８１１０３８１０３．８６６６．７２５．１０６２．８２８７０％８７１０１４１０６２．９４２７９２．１１．１１８２１％９６６．８９７．７４３６６９１０．１４８６６７５％７３％８９ＴＰ１１０６６８５０１．４９０．４６５７０７．７２９．（１４００Ｌ）２．００．２０７７６６４．５．１４６１４６８９８９７０８７４．％％％９６．１９４２．６７９．６９４０９９．１７７４１０８１．１０５３．７．０６７７６９０１．９４２７５％７２％８４９６６１００３．７２８．６５２．９１１９５７．７００．７０６．７．７２４３４７９７．６７６％％％％％６９７２４．７０５．６２３．４５２．７９１．７７３．７２％６６８３７４４．８０３．５０７．５０７．８４１７０８．市售生产线（５７９．７．１８５０７．５０８．５７９．５５７．）２．００２０．７２４．６９１．４８３．４３．１５．４３６．１１７１６７％７６４．５７８．４３６．４３２５９４６５２．８３１．７０７．３６２．３４１７１．１７７８５．４６％６１６５２．６８０．４５８．４５８０．１４６８１％。２０Ｓ，如此循环。测试板采用专用的通孔测试图形，通过测试前后的电阻率变化判断是否符合要求一般而言过±．，在经过前述条件处理后为符合要求２，电阻率变化不超１０％。２热油测试板的电流密度分别为、０５Ａ／ｃｍ、１．１Ａ／ｃｍ１．６Ａ／ｃｍ２，其他各种参数均，采用中值图３部分通孔切片？ｆ／１．，热油测试规范如前文描述。测试不同厚一６ｍｍ，孔ｇ／０２０ｍｍ）．径比和不同电流密度下的可靠性，目，前业内般测１１孔径为０．２０ｍｍ时，其平均贯孔能力为７７％。，试３０个循环本文中选择５０个循环产品具有良好的保护性能泡或分层２３．结果表明ＴＰ０厚径比显改善２２，现有产品Ａ的ＴＰ值为６９％ＴＰ１１相同的０较Ａ有明，所有结果均符合要求，。从５０个循环后的切片结果看。孔形完好，铜层无起。可靠性测试结果．馳流测试耐电流测试选用的为０４１９４７的孔链测试板ｍ，，盲孔１浸锡试验将？？１．孔径为６ｍｍ，１０１．６ｐｍ．，介厚为７０时间为１ｊｕ（选择的耐电流测。孔径０２０ｍｍ．、０．２５ｍｍ、２０３０ｍｍ．试的电流为２５３３Ａ，０ｓ，测试结果合格的测试板在不同电流密度０１．．５Ａ／ｃｍＳＥＳ、１．１Ａ／ｃｍ２、６Ａ／ｃｍ２下经过ＴＰ１１０镀锡１、蚀刻后进行浸锡）保护性能测试．（浸锡的条件为２８８的要求，尤，０ｓ，浸锡６次测试。。根据１良率测试ＩＰＣ采用电阻变化率来进行表征，从结果可，外层图形ＡＯ再进行ＳＥＳ蚀刻ＯｐｔｉｃａｌＩＩ测试板、，选取生产板外层图形（，知，在浸锡前后其表面无起泡１，无分层所有通在电镀试验线进行镀铜，镀锡自锡层厚度５ｐｍ（）、道的电阻变化率均小于２２．０％，满足生产要求。表４是，动光学检查。Ａｕｔｏｍａｔｅｄ热油测试热油测试的条件为：ｎｓｐｅｃｔｉｏｎＡＯＩ）数据。通常与镀锡相关的缺２６０ｔ停留２０２０１停留ｓ，陷有断线、缺口或者露基材从图４断线与缺口的放第４啳第期１石新红，等电镀锡添加剂的研究５５表４外层Ａ〇傲据统计批次板号数量正反面断路缺口第批Ｘ１一／８６ｘｘｘ４Ｙ／／第二批Ｘ／１８６ｘｘｘ４Ｙ／７断线缺口图４部分缺陷照片大缺陷来看，缺陷位置边缘光滑，无锻锡不良引起的明显的过渡区。３．２好撕０丨良較电测试外层图形选取两款生产板，如图５所示，在电镀试验线进行镀铜和镀锡。电镀铜使用１０８药水，电镀铜参数为２１．１Ａ／ｃｍ，５８ｍｉｎ；电镀锡使用ＴＰ１１０药水参数为２，电镀锡１．１Ａ／ｃｍ，１０ｍｉｎ（生产线为１．５Ａ２／ｃｍ，９ｍｉｎ）〇其余工艺流程職照生产要求进行控制，在ＡＯＩ以及电测试跟进。表５为两个批次生产板在ＡＯＩ以及电测试的报废详情，从结果来看，上述两个批次的生产板均无镀锡相关的报废，保护性能应与目前生产使用的市售药水相当。表５夕卜层ＡＯ傲据统计批次板号数量／片过程偏位孔底铜破划伤Ａ０／／／６７ｘｘｘ２电测试／／／Ａ０１２１２４４ｘｘｘ８电测试／／１第批次第二批次图５不同批次生产板在ＰＣＢ加工过程中，镀锡虽然只是加工的中间环节，但镀锡工艺对孔铜完整性起到关键作用。在降低锡厚的情况下，镀层的保护性能尤为重要。通孔内部属于电流密度较小的区域，在电镀过程中容易出现低电流。本测试的板厚０．８ｉｒｎｎ，孔径为０．１５ｍｍ，其通孔的ＴＰ值为１００％。观察其表观及孔中间位置的锡镀层的结晶状况。从图６的ＳＥＭ照片可看出，板面及通孔中间的锡层结晶致密，无漏镀以及针孔等现象，具有较好的保护性。４稳定性测试表６给出ＴＰ１１０药水在试验线上测试过程中的表残铜短路凸起露基材铜粒划伤１／／２／２／１２４１／１３／２／／／８２２１／切片表面Ｓｎ孔内中部Ｓｎ图６通孔照片面形貌以及通孔的ＴＰ值，通孔的孔径为０．２０ｍｍ，板厚ｌ＿６ｍｍ，电流密度为２ｌ．ｌＡ／ｃｍ。结果显示，ＴＰ１１０药水在使用过程中，药水经过１００Ａｈ／Ｌ后，仍然具备良好的通孔电镀能力，表明ＴＰ１１０药水具有良好的长期稳定性，可以为生产提供长期可靠的电镀性能。表６不同时间的表观及ＴＰｔ结果第００Ａｈ１周第１０周第２０周第／２４周１２（８０Ｌ）扫描电镜ＳＥＭ平均灌孔５．７０％９１７０％８７６０％９能力８１３０％９１．５％５小结１）线路板适用的镀锡添加剂ＴＰ１１０盲孔ＴＰ值大于９０％，１０：１的通孔板ＴＰ值为７７％，具有很好的通盲孔ＴＰ值。２）镀层结晶致密均匀，在ＳＥＳ过程中，当锡厚为５ｐｍ的条件下，能够很好地保护通盲孔以及孤立线和盘等，具有较好的保护性能。３）可靠性测试及良率测试结果显示，该电镀锡药水具有较高的可靠性能，与现有Ａｘｘ药水相当，且该体系电镀锡厚仅需５ｐｍ较原有的７ｊ，ｌｈｉ，ｊ可以大幅节约锡球成本。４）根据试验线５个多月的使用，该药水在不同使用时间内，其表观及ＴＰ值均比较一致，可以为生产提供长期可靠的电镀性能。更长时期的稳定性以及溶液的消耗量仍需要进一步的测试。参考文献［１］吴华强陈华茂．多功能硫酸盐镀锡添加剂的研制．，［Ｊ］电镀与涂饰．，２０００⑶：２１－２２［２］ＣｈｅｎＹＨＷｌ，ａｎｉｇＹＹＷａｎＣＣ．Ｍ，ｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｉｍｍｅｒｓｉｏｎｔｉｎｃｏａｔｉｎｇｓｏｎｃｏｐｐｅｒｃｉｒｃｕｉｔｒｉｅｓｉｎｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄｓ［Ｊ］．ＳｕｒｆａｃｅａｎｄＣｏａｔｉｎｇｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００７２０２（３）４１７－：４，２４．［３］ＫｉｍＫＳ，ＨａｍＷ０，ＨａｎＳＷ．ＷｈｉｓｋｅｒｇｒｏｗｔｈｏｎｓｕｒｆａｃｅｔｒｅａｔｍｅｎｔｉｎｔｈｅｕｒｅｔｉｎｐｌａｔｉｎＪｏｕｒｎａｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｐ［Ｊ］．ｉｒａｌｓｇ，电子工艺技术５６ＥｅｃｔｒｏｎｃｓＰｒｏｃｅｓｓＴｅｃｈｎｏｏｇｙ２０２０ｌｉｌ年月１２００５３４，（１２）：１５７９－１５８５．饰ｉ２００９，⑶：４４４８［４］ＧａｒｃａＧＭＰｅｒｅｚＨＶＧａｒｃｉ，，ａＪＡ，ｅｔａｌ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｒｅｃｏｖｅｒｙ［６］罗威张学军硫酸盐型亚光纯锡电镀工艺在ＰＣＢ上的应用．，［Ｊ］？孔ｏｆｔｉｎｆｒｏｍｔｈｅａｃｔｉｖａｔｉｎｇｓｏｌｕｔｉｏｎｓｏｆｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓｐｌａｔｉｎｇｏｆ化与电镀［，２００４（６）３１：－３２．ｐｏｌｙｍｅｒｓｇａｌｖａｎｏｓｔａｔｉｃｏｐｅｒａｔｉｏｎ［Ｊ］．ＳｅｐａｒａｔｉｏｎａｎｄＰｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ７］付海涛石新红陈祝华孔径和内层铜面处理方式对电镀盲孔可．，，Ｔｅｃｈｎｏ５］ｌｏｇｙ，２００６５２，（）：１４３－１４９．靠性影响［［Ｊ］．电子工艺技术，２０１９１（）：３５－３８．［袁诗璞影响镀层厚度分布均勻性的因素．Ｊ］．电镀与涂（收稿日期：２０１９－１０－３１）ＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＣＸＸＸＸＸＸＸＸｘＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＣＸＸＸＸＸＸｘＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＣＸＸＸＸＸＸｘＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯＯ（上接第４页）Ｔ１５？度，从仿真结果可见，随着梯形上、下边比例的变化，、和心参数都产生变化在０￣５：ＧＨｚ频带范围内，心参数产生了０．０５ｄＢ内的变化，数产生了０．５０ｄＢ内的变化；５ＧＨｚ以上Ｓ２．，１参数产生了０１０ｄＢ内的变化，心数产生了１．００ｄＢ内的变化。随着频率升高，变化逐渐明显。总体而言，金属横截面的变化带来的影响相对较小。在最初传输线设计仿真中，介质材料的电参数一（相对介电常数Ｄｋ和损耗角正切Ｄｆ）设置是个固定值（常数），而有机介质材料的电参数实际上是随着频率变化的，使用ＤｊｏｒｄｊｅｖｉｃＳａｒｋａｒ模型将介质材料的电参数调整为频变的参数，介质材料电参数频变后，从仿真结里可以看出，心和心曲线都略变差：在５ＧＨｚ内，曲线基本是重合的，５ＧＨｚ以上产生了０．０１ｄＢ左右的变化，且频率越高产生的变化越明显。总体而言，在当前〇￣１２．５ＧＨｚ频带范围内，介质材料电参数频变产生的影响较小。４结论面对系统集成中对高频高速硅基板的强烈需求，设计和制备了分别在硅基板表层和内层的单端传输线结构，共用同一参考地平面。设计仿真结果和测试结果的对比表明，虽然曲线吻合较好，但Ｓ２１曲线差异明显，测试结果严重恶化。通过对工艺结构误差、介质介电性能，金属粗糖度等引入的传输损耗进行了分析和仿真验证，得出精确控制Ｐ琨厚度等工艺结构参数，使传输线实际结构更接近设计值，是减小设计和实测偏差，保证高速传输线性能最有效的途径。参考文献［１］逄健刘佳？摩尔定律发展述评［１５１５：４６５０．，Ｊ］？科技管理研究，２０（）２［］ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＲｏａｄｍａｐｆｏｒＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ２００３ｅｄｉｔｉｏｎ．ｅｔｔｉ［Ｚ］ＳｍｉｃｏｎｄｕｃｏｒＩｎｄｕｓｔｒｙＡｓｓｏｃｉａｏｎＲｅｐｏｒｔ，ＳｅｍａｔｅｃＩｎｃ．，２００３［３］ＡｓｓｅｍｂｌｙａｎｄＰａｃｋａｎｎｇｉｇＴｅｃｈｎｉｃａｌＷｏｒｋｉｇＧｒｏｕ．ｈｅｎｅｘｔＳｔｅｐＴｐｉｎＡｓｓｅｍｂｌｙａｎｄＰａｃｋａ：ｅｖｅｌＩｎｔｅｎｔｈｅａｇｅＳｙｓｔｅｍＬｇｒａｔｉｏｎｉｐａｃｋｇｅＳｉＰ（）Ｚ．ＳｉＰＷｅｒ［］ｈｉｔｅＰａｐＶ９０２００９．．，４．［］吕植成基于硅基板的大功率ＬＥＤ封装研究［Ｄ．］武汉：华中科技大学２０１３．，（收稿日期：２０１９－０９－２１）
