一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410512418.0 （22）申请日 2014.09.29 （71）申请人 南京邮电大学

地址 210023 江苏省南京市亚东新城区文苑路9号

（10）申请公布号 CN104310482A

（43）申请公布日 2015.01.28

（72）发明人 宇文力辉;汪联辉;于欢;张琦;张玉倩 （74）专利代理机构 南京知识律师事务所

代理人 汪旭东

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法

（57）摘要

本发明提供了一种超声辅助化学插层的制

备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发

明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。

法律状态

法律状态公告日

2015-01-28 2015-01-28 2015-02-25 2015-02-25 2020-04-03

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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