专利名称：于穿硅通孔的背面薄化工艺中防止铜污染的方法专利类型：发明专利
发明人：陈逸男,徐文吉,叶绍文,刘献文申请号：CN201210102044.6申请日：20120409公开号：CN103367240A公开日：20131023
摘要：本发明涉及一种于穿硅通孔的背面薄化工艺中防止铜污染的方法。于半导体基板中设置有至少一穿硅通孔，该至少一穿硅通孔包括一铜金属层、一阻障层及一绝缘层。将半导体基板以正面与一载板结合。于半导体基板的背面的一硅层进行研磨，直到硅层于穿硅通孔上留有一预定厚度为止，或是当阻障层包括一具有比硅层高的研磨磨擦系数的材料时，研磨超过该预定厚度时可继续研磨，而以阻障层做为研磨停止层。对上述研磨后的半导体基板的背面的硅层进行蚀刻以再部分移除硅层而露出穿硅通孔的一部分高度。于薄化用的研磨中，并未使铜金属层露出接受研磨，所以可避免因研磨时铜抹污所造成的铜污染问题。
申请人：南亚科技股份有限公司
地址：中国台湾桃园县
国籍：CN
代理机构：深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人：江耀纯
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