专利名称：NMOS晶体管形成方法专利类型：发明专利发明人：甘正浩,冯军宏申请号：CN201110276316.X申请日：20110916公开号：CN103000501A公开日：20130327
摘要：一种NMOS晶体管形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成氧化层，在所述氧化层表面形成多晶硅层；对所述半导体衬底进行第一离子注入，所述注入的离子为氟离子和氮离子；对所述多晶硅层和氧化层进行刻蚀，分别形成栅电极和栅氧化层，在所述栅氧化层和栅电极两侧的半导体衬底内形成轻掺杂源/漏区；在所述栅氧化层和栅电极的侧壁表面形成侧墙，在所述侧墙两侧的半导体衬底内形成重掺杂源/漏区，形成NMOS晶体管。通过对所述半导体衬底进行氟离子和氮离子注入，提高了NMOS晶体管的栅氧化层的可靠性，降低NMOS晶体管中的热载流子注入效应，改善栅氧化层的TDDB特性。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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