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闪存器件及其操作方法[发明专利]

来源:东饰资讯网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:闪存器件及其操作方法专利类型:发明专利发明人:李根雨,金基锡申请号:CN200810096905.8申请日:20080505公开号:CN101388248A公开日:20090318

摘要:本发明公开了一种闪存器件及其操作方法,其中根据累积的编程操作、擦除操作或者读取操作的次数(累积的操作循环的数量)而不同地调节在读取操作过程中施加的电压(或者电流)的状况。即使与正常执行的编程操作(或者擦除操作)无关而由于累积的操作循环的数量的增加,阈值电压的电平变为与目标电压的电平不同的电平,也可以增强读取操作的可靠性,从而防止存储单元发生故障。

申请人:海力士半导体有限公司

地址:韩国京畿道利川市

国籍:KR

代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

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