专利名称：一种减少晶片缺陷的设备及方法专利类型：发明专利发明人：三重野文健
申请号：CN201710193119.9申请日：20170328公开号：CN108660513A公开日：20181016
摘要：本发明提供一种减少晶片缺陷的设备及方法，该设备包括腔体、加热装置以及微波发生器；其中，腔体包括中空的内腔，用于放置待处理晶片于工作面上；腔体外壁上设置与内腔相连通的进气口和出气口；加热装置沿工作面的延展方向均匀布设在腔体的外周；腔体的侧壁上、高于工作面的位置上设置有与内腔相连通的至少一微波口，微波发生器通过微波口与内腔相连通。设备中的微波发生器与加热装置相结合，能够进行多次、不同条件的退火步骤，在退火工艺中，晶片中的原子进行重新排列从而消除晶片中的空位和氧化诱生层错，减少晶片中的缺陷，提高晶片质量；而且，微波辅助退火的方式能够有效降低退火温度，避免高温引起的晶片翘曲，进一步保证晶片质量。
申请人：上海新昇半导体科技有限公司
地址：201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：余明伟
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