专利名称：一种超低功耗半导体功率器件及制备方法专利类型：发明专利发明人：侯宏伟,丁磊
申请号：CN201610296881.5申请日：20160506公开号：CN105914230A公开日：20160831
摘要：本发明公开了一种光刻层数少、工艺简单的超低功耗半导体功率器件，包括：半导体基板，半导体基板上设置有元胞区和终端保护区，元胞区中设置有元胞，其结构包括：元胞沟槽，元胞沟槽中设置有上部导电多晶硅层和下部导电多晶硅层，上部导电多晶硅层的两侧为对称设置在下部导电多晶硅层两侧的伸出部，形成帽状结构；终端保护区上设置有至少两个分压环和至少一个截止环，靠近元胞区的分压沟槽中的导电多晶硅层与器件的源极电性相连，其余的分压沟槽内的导电多晶硅层浮置。本发明还公开了一种可用于制造上述超低功耗半导体功率器件的方法。
申请人：张家港凯思半导体有限公司
地址：215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村张家港凯思半导体有限公司
国籍：CN
代理机构：无锡中瑞知识产权代理有限公司
代理人：张玉平
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