专利名称：一种逆导型IGBT背面结构专利类型：实用新型专利
发明人：李晓平,潘艳,温家良,金锐,刘江,赵哿,高明超,王耀华,
李立
申请号：CN201620356265.X申请日：20160425公开号：CN205595336U公开日：20160921
摘要：本实用新型提供一种逆导型IGBT背面结构。本实用新型通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本实用新型提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。
申请人：全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网上海市电力公司
地址：102209 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内
国籍：CN
代理机构：北京安博达知识产权代理有限公司
代理人：徐国文
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