专利名称：提高多晶硅栅极与接触孔之间叠对均匀性的方法专利类型：发明专利发明人：武咏琴
申请号：CN201010601601.X申请日：20101222公开号：CN102543740A公开日：20120704
摘要：本发明提供了一种提高多晶硅栅极与接触孔之间叠对均匀性的方法，该方法包括：A、通过位于多晶硅栅极层的对准标记和位于光罩上接触孔层的对准标记的对准，得到对准偏移图；B、判断所述对准偏移图是收敛还是发散；当所述对准偏移图是发散的，对形成有多晶硅栅极的晶片进行退火处理。采用本发明提高了晶片的多晶硅栅极和接触孔之间的叠对均匀性。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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