1. 两点电荷q18C位于z轴上z4处,q24C位于y轴上y4处,求(4,0,0)处的电场强度。
解 电荷q1在(4,0,0)处产生的电场为
rr12ex4ez440rr130(42)3q1E1
电荷q2在(4,0,0)处产生的电场为
E2q2rr21ex4ey440rr230(42)3
故(4,0,0)处的电场为
EE1E2exeyez23220 2. 两平行无限长直线电流I1和I2,相距为d,求每根导线单位长度受到的安培力Fm。
解 无限长直线电流I1产生的磁场为
0I12r
B1e直线电流I2每单位长度受到的安培力为
1Fm12I2ezB1dze1200I1I22d
式中e12是由电流I1指向电流I2的单位矢量。
同理可得,直线电流I1每单位长度受到的安培力为
0I1I22d
Fm21Fm12e123. 一个半径为a的导体球带电荷量为Q,当球体以均匀角速度绕一个直径旋转,求球心处的磁感应强度B。
解 球面上的电荷面密度为
Q4a2
当球体以均匀角速度绕一个直径旋转时,球面上位置矢量rera点处的电流面密度为
JSvωrezera
easineQsin4a
将球面划分为无数个宽度为dlad的细圆环,则球面上任一个宽度为dlad细圆环的电流为
dIJSdlQsind4
细圆环的半径为basin,圆环平面到球心的距离dacos,利用电流圆环的轴线上的磁场公式,则该细圆环电流在球心处产生的磁场为
dBez0b2dI2(b2d2)320Qa2sin3dez8(a2sin2a2cos2)32
0Qsin3dez8a
故整个球面电流在球心处产生的磁场为
Bez00Qsin3Qdez08a6a
4. 半径为a的球体中充满密度(r)的体电荷,已知电位移分布为
r3Ar2Dra5Aa4r2(ra)(ra)
其中A为常数,试求电荷密度(r)。 解 由D,有
1d2(rDr)2rdr
(r)D
故在ra区域
1d2322[r(rAr)](5r4Ar)02rdr
(r)0在ra区域
1d2(a5Aa4)(r)02[r]0rdrr2
5.一个半径为a薄导体球壳内表面涂覆了一薄层绝缘膜,球内充满总电荷量为Q为的体
Eer(ra)4Q电荷,球壳上又另充有电荷量。已知球内部的电场为,设球内介质为真空。计
算(1) 球内的电荷分布;(2)球壳外表面的电荷面密度。
解 (1) 由高斯定理的微分形式可求得球内的电荷体密度为
1d21d2r4r30E0[2(rE)]0[2(r4)]604rdrrdraa
(2)球体内的总电量Q为
ar3Qd6044r2dr40a2a0
球内电荷不仅在球壳内表面上感应电荷Q,而且在球壳外表面上还要感应电荷Q,所以球壳外表面上的总电荷为2Q,故球壳外表面上的电荷面密度为
2Q204a2
6. 中心位于原点,边长为L的电介质立方体的极化强度矢量为
PP0(exxeyyezz)。
(1)计算面束缚电荷密度和体束缚电荷密度;(2)证明总的束缚电荷为零。 解 (1) PP3P0
L2LP02
LP02
P(x)nPxL2exPxL2P(x)nPL2xL2exPxL2同理
L2L2L2L2LP02
P(y)P(y)P(z)P(z)(2)
qPPdPdS3P0L36L2SLP002
7. 一半径为R0的介质球,介电常数为r0,其内均匀分布自由电荷,证明中心点的电位为
2r1()R022r30
解 由
DdSqS
可得到
4r34rD1(rR0)3
234R04rD2(rR0)3 2即
Drr,E11(rR0)3r03r0
D133R0D1R0D22,E2(rR0)23r030r
故中心点的电位为
R0R0R03r(0)E1drE2drdrdr23r030r0R0R00
R02R022r12()R06r0302r30
8. 一个半径为R的介质球,介电常数为,球内的极化强度PerKr,其中K为一常数。(1) 计算束缚电荷体密度和面密度;(2) 计算自由电荷密度;(3)计算球内、外的电场和电位分布。
解 (1)介质球内的束缚电荷体密度为
1d2KK(r)r2drrr2
pP在rR的球面上,束缚电荷面密度为
KR
pnPrRerPrR(2)由于D0EP,所以
0DP
D0EP即
0)DP
(1由此可得到介质球内的自由电荷体密度为
00K(0)r2
DPp总的自由电荷量
KR14RK2qd4rdr0r200
(3)介质球内、外的电场强度分别为
PKer0(0)rE1(rR)
E2erq40r2erRK0(0)r2(rR)
介质球内、外的电位分别为
R1EdlE1drE2drrrR
KRKdrdr2(0)r(0)rrR0
KRKln0r0(0)R(rR)
2E2drrRKRKdr2()r0(0)r0r0(rR)
9. 如图所示为一长方形截面的导体槽,槽可视为无限长,其上有一块与槽相绝缘的盖板,槽的电位为零,上边盖板的电位为U0,求槽内的电位函数。
解 根据题意,电位(x,y)满足的边界条件为 ① (0,y)(a,y)0 ② (x,0)0 ③ (x,b)U0
根据条件①和②,电位(x,y)的通解应取为
(x,y)Ansinh(n1nynx)sin()aa
由条件③,有
nbnx)sin()aa
U0Ansinh(n1两边同乘以sin(nxa),并从0到a对x积分,得到
a2U0nxAnsin()dxasinh(nba)0a
2U0(1cosn)nsinh(nba)4U0,n1,3,5,nsinh(nba)0,n2,4,6,
故得到槽内的电位分布
4U01nynxsinh()sin()nsinh(nba)aa
(x,y)n1,3,5,10. 两平行无限大导体平面,距离为b,其间有一极薄的导体片由yd到
yb(z)。上板和薄片保持电位U0,下板保持零电位,求板间电位的解。设在薄片
平面上,从y0到yd,电位线性变化,(0,y)U0yd。
y U0 b d o 4.2x 2. 解 应用叠加原理,设板间的电位为
(x,y)1(x,y)2(x,y)
其中,1(x,y)为不存在薄片的平行无限大导体平面间(电压为U0)的电位,即
1(x,y)U0yb;2(x,y)是两个电位为零的平行导体板间有导体薄片时的电位,其边界条件
为
① 2(x,0)2(x,b)0
②
2(x,y)0(x)
U0U0yydb2(0,y)(0,y)1(0,y)UU0y0b③
(0yd)(dyb)
根据条件①和②,可设2(x,y)的通解为
xnynb2(x,y)Ansin()ebn1
由条件③有
U0U0yynydbAnsin()bn1UU0y0b(0yd)(dyb)
两边同乘以sin(nyb),并从0到b对y积分,得到
db2U2U11nyynyAn0()ysin()dy0(1)sin()dyb0dbbbdbb
2U0bndsin()(n)2db
故得到
x1ndnynbsin()sin()e2bbn1n U02bU0yd2(x,y)b
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