（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201520636902.4 （22）申请日 2015.08.24
（71）申请人 长沙市博巨兴电子科技有限公司
地址 410004 湖南省长沙市高新开发区麓谷大道627号麓谷新长海中心B栋801室
（10）申请公布号 CN204948040U
（43）申请公布日 2016.01.06
（72）发明人 涂柏生;朱锌铧;周德贵 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种MOS管过流保护电路
（57）摘要
本实用新型公布了一种MOS管过流保护电
路，它包括MOS管及与之相连的负载，所述MOS管的通断控制端与MCU的输入输出口一1连接；所述MOS管的输出端与MCU的输入输出口二2连接。它能在不增加主电流回路负载，和在几乎不增加其他硬件成本和PCB元器件空间的情况下可靠实现MOS管的过流保护。
法律状态
法律状态公告日
2016-01-06
授权
法律状态信息
授权
法律状态
权利要求说明书
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说明书
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