专利名称：蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法
以及用于制备半导体器件的方法
专利类型：发明专利
发明人：金喆禹,沈由那,李光国,郭宰熏,金荣汎,李宗昊,赵珍
耿
申请号：CN201911016141.1申请日：20191024公开号：CN111100641A公开日：20200505
摘要：本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水：[式1]其中，R‑R独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C‑C烃基、C‑C烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C‑C‑烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基。L为直接键或者C‑C亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。
申请人：SK新技术株式会社,爱思开新材料有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
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