（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201510713069.3 （22）申请日 2015.10.28 （71）申请人 株式会社迪思科
地址 日本东京都
（10）申请公布号 CN105583696B
（43）申请公布日 2019.11.19
书
（72）发明人 小岛胜义;佐藤武志
（74）专利代理机构 北京三友知识产权代理有限公司
代理人 李辉
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
SiC基板的研磨方法
（57）摘要
提供SiC基板的研磨方法，是能够抑制晶
格的紊乱的使用研磨液的SiC基板的研磨方法。在SiC基板(11)的研磨中使用的研磨液构成为含有高锰酸盐、pH调节剂以及水。并且，在SiC基板的研磨方法中，供给研磨液并且使研磨垫(18)与SiC基板接触来研磨SiC基板，其包含如下的工序：第1研磨工序，使用含有高锰酸盐、具有氧化力的无机盐类以及水的第1研磨液来研磨SiC基板；以及第2研磨工序，在该第1研磨工
序之后，使用含有高锰酸盐、pH调节剂以及水的第2研磨液对SiC基板进行精研磨。
法律状态
法律状态公告日
2016-05-18 2016-05-18 2016-05-18 2017-11-03 2017-11-03 2019-11-19
法律状态信息
公开 公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
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说明书
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