专利名称：一种基于场效应管结构的阻变存储器及制备方法专利类型：发明专利发明人：艾易龙,程抱昌申请号：CN201510169212.7申请日：20150413公开号：CN104851900A公开日：20150819
摘要：一种基于场效应管结构的阻变存储器，包括源级、一维硒化镉/碳杂化纳米材料、漏极、二氧化硅氧化层、P型硅片、栅极、封装层；在二氧化硅氧化层中间水平放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料；在一维硒化镉/碳杂化纳米材料两端以及P型硅底面中心点上银浆，分别作为场效应管的源级、漏极和栅极，在洁净的大气环境中放置3-5小时；将封装材料贴覆在一维硒化镉/碳杂化纳米材料及二氧化硅氧化层上，之后在P型硅底面贴覆一层封装材料，150℃真空烘箱保温24小时。本发明制备工艺简单，利用场效应管电流放大作用，不仅有效提高了高低阻态比值，提高了存储器准确性，而且可以通过改变栅极电压极性来恢复初始状态，实现可调制的阻变存储器。
申请人：南昌大学
地址：330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
国籍：CN
代理机构：南昌新天下专利商标代理有限公司
代理人：施秀瑾
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容